Energie-Modul-Transistoren IGBTs NGB8207NT4G IGBT einzeln
Spezifikationen
Teilnummer:
NGB8207NT4G
Hersteller:
AUF Halbleiter
Beschreibung:
IGBT 365V 20A 165W D2PAK
Kategorie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Familie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Einleitung
NGB8207NT4G-Spezifikationen
Teil-Status | Veraltet |
---|---|
IGBT-Art | - |
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) | 365V |
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) | 20A |
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) | 50A |
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC | 2.6V @ 4V, 20A |
Macht- maximales | 165W |
Zugeschaltete Energie | - |
Eingegebene Art | Logik |
Tor-Gebühr | - |
TD (AN/AUS) @ 25°C | - |
Testbedingung | - |
Rückgenesungszeit (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C | 175°C (TJ) |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Paket/Fall | TO-263-3, d-² PAK (2 Führungen + Vorsprung), TO-263AB |
Lieferanten-Gerät-Paket | D2PAK |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
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Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable