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Energie-Modul-Transistoren IGBTs APT100GN120B2G IGBT einzeln

Kategorie:
IGBT-Leistungsmodul
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
APT100GN120B2G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Beschreibung:
IGBT 1200V 245A 960W TMAX
Kategorie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Familie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Einleitung

APT100GN120B2G-Spezifikationen

Teil-Status Aktiv
IGBT-Art Graben-Feld-Halt
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) 1200V
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) 245A
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) 300A
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC 2.1V @ 15V, 100A
Macht- maximales 960W
Zugeschaltete Energie 11mJ (an), 9.5mJ (weg)
Eingegebene Art Standard
Tor-Gebühr 540nC
TD (AN/AUS) @ 25°C 50ns/615ns
Testbedingung 800V, 100A, 1 Ohm, 15V
Rückgenesungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C | 150°C (TJ)
Befestigung der Art Durch Loch
Paket/Fall Variante TO-247-3
Lieferanten-Gerät-Paket -
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

APT100GN120B2G Verpacken

Entdeckung

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