Energie-Modul-Transistoren IGBTs HGTG5N120BND IGBT einzeln
Spezifikationen
Teilnummer:
HGTG5N120BND
Hersteller:
Fairchild-/ONhalbleiter
Beschreibung:
IGBT 1200V 21A 167W TO247
Kategorie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Familie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Einleitung
HGTG5N120BND-Spezifikationen
Teil-Status | Nicht für neue Entwürfe |
---|---|
IGBT-Art | NPT |
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) | 1200V |
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) | 21A |
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) | 40A |
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC | 2.7V @ 15V, 5A |
Macht- maximales | 167W |
Zugeschaltete Energie | 450µJ (an), 390µJ (weg) |
Eingegebene Art | Standard |
Tor-Gebühr | 53nC |
TD (AN/AUS) @ 25°C | 22ns/160ns |
Testbedingung | 960V, 5A, 25 Ohm, 15V |
Rückgenesungszeit (trr) | 65ns |
Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
Befestigung der Art | Durch Loch |
Paket/Fall | TO-247-3 |
Lieferanten-Gerät-Paket | TO-247 |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
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Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable