Nachricht senden
Zu Hause > produits > IGBT-Leistungsmodul > Energie-Modul-Transistoren IGBTs FGD3N60UNDF IGBT einzeln

Energie-Modul-Transistoren IGBTs FGD3N60UNDF IGBT einzeln

Kategorie:
IGBT-Leistungsmodul
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Beschreibung:
IGBT 600V 6A 60W DPAK
Teilnummer:
FGD3N60UNDF
Hersteller:
Fairchild-/ONhalbleiter
Kategorie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Familie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Einleitung

FGD3N60UNDF-Spezifikationen

Teil-Status Aktiv
IGBT-Art NPT
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) 600V
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) 6A
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) 9A
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC 2.52V @ 15V, 3A
Macht- maximales 60W
Zugeschaltete Energie 52µJ (an), 30µJ (weg)
Eingegebene Art Standard
Tor-Gebühr 1.6nC
TD (AN/AUS) @ 25°C 5.5ns/22ns
Testbedingung 400V, 3A, 10 Ohm, 15V
Rückgenesungszeit (trr) 21ns
Betriebstemperatur -55°C | 150°C (TJ)
Befestigung der Art Oberflächenberg
Paket/Fall TO-252-3, DPak (2 Führungen + Vorsprung), SC-63
Lieferanten-Gerät-Paket TO-252, (D-PAK)
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

FGD3N60UNDF Verpacken

Entdeckung

Energie-Modul-Transistoren IGBTs FGD3N60UNDF IGBT einzelnEnergie-Modul-Transistoren IGBTs FGD3N60UNDF IGBT einzelnEnergie-Modul-Transistoren IGBTs FGD3N60UNDF IGBT einzelnEnergie-Modul-Transistoren IGBTs FGD3N60UNDF IGBT einzeln

Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable