Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs des Feld-SI2372DS-T1-GE3 einzeln
Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
SI2372DS-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CHAN 30V SOT23
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Reihe:
TrenchFET®
Einleitung
Spezifikationen SI2372DS-T1-GE3
| Teil-Status | Aktiv |
|---|---|
| Fet-Art | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 30V |
| Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 4A (Ta), 5.3A (Tc) |
| Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 2.5V @ 250µA |
| Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 8.9nC @ 10V |
| Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 288pF @ 15V |
| Vgs (maximal) | ±20V |
| Fet-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (maximal) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
| RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 33 mOhm @ 3A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
| Befestigung der Art | Oberflächenberg |
| Lieferanten-Gerät-Paket | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paket/Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
| Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
Verpacken SI2372DS-T1-GE3
Entdeckung
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable