Nachricht senden
Zu Hause > produits > Feldeffekttransistor > PSMN027-100BS, 118 Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzeln

PSMN027-100BS, 118 Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzeln

Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
PSMN027-100BS, 118
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Einleitung

PSMN027-100BS, 118 Spezifikationen

Teil-Status Aktiv
Fet-Art N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 100V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 37A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 4V @ 1mA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 30nC @ 10V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 1624pF @ 50V
Vgs (maximal) ±20V
Fet-Eigenschaft -
Verlustleistung (maximal) 103W (Tc)
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 26,8 mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur -55°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket D2PAK
Paket/Fall TO-263-3, d-² PAK (2 Führungen + Vorsprung), TO-263AB
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

PSMN027-100BS, 118 verpackend

Entdeckung

PSMN027-100BS, 118 Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzelnPSMN027-100BS, 118 Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzelnPSMN027-100BS, 118 Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzelnPSMN027-100BS, 118 Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzeln

Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable