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Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs des Feld-STB16N65M5 einzeln

Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
STB16N65M5
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Reihe:
MDmesh™ V
Einleitung

Spezifikationen STB16N65M5

Teil-Status Veraltet
Fet-Art N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 650V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 12A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 5V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 31nC @ 10V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 1250pF @ 100V
Vgs (maximal) -
Fet-Eigenschaft -
Verlustleistung (maximal) 90W (Tc)
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 299 mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigung der Art Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket D2PAK
Paket/Fall TO-263-3, d-² PAK (2 Führungen + Vorsprung), TO-263AB
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

Verpacken STB16N65M5

Entdeckung

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