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STP19NM50N-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzeln

Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
STP19NM50N
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Reihe:
MDmesh™ II
Einleitung

STP19NM50N-Spezifikationen

Teil-Status Aktiv
Fet-Art N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 500V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 14A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 4V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 34nC @ 10V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 1000pF @ 50V
Vgs (maximal) ±25V
Fet-Eigenschaft -
Verlustleistung (maximal) 110W (Tc)
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 250 mOhm @ 7A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigung der Art Durch Loch
Lieferanten-Gerät-Paket TO-220AB
Paket/Fall TO-220-3
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

STP19NM50N Verpacken

Entdeckung

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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable