STP19NM50N-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzeln
Spezifikationen
Teilnummer:
STP19NM50N
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Reihe:
MDmesh™ II
Einleitung
STP19NM50N-Spezifikationen
Teil-Status | Aktiv |
---|---|
Fet-Art | N-Kanal |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 500V |
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 14A (Tc) |
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 4V @ 250µA |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 1000pF @ 50V |
Vgs (maximal) | ±25V |
Fet-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (maximal) | 110W (Tc) |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 250 mOhm @ 7A, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigung der Art | Durch Loch |
Lieferanten-Gerät-Paket | TO-220AB |
Paket/Fall | TO-220-3 |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable