Nachricht senden
Zu Hause > produits > Feldeffekttransistor > Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs des Feld-STI260N6F6 einzeln

Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs des Feld-STI260N6F6 einzeln

Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
verhandelbar
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
STI260N6F6
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Reihe:
DeepGATE™, STripFET™ VI
Einleitung

Spezifikationen STI260N6F6

Teil-Status Veraltet
Fet-Art N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 75V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 120A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 4V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 183nC @ 10V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 11400pF @ 25V
Vgs (maximal) -
Fet-Eigenschaft -
Verlustleistung (maximal) 300W (Tc)
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 3 mOhm @ 60A, 10V
Betriebstemperatur -55°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art Durch Loch
Lieferanten-Gerät-Paket I2PAK
Paket/Fall Lange Leinen TO-262-3, ich ² PAK, TO-262AA
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

Verpacken STI260N6F6

Entdeckung

Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs des Feld-STI260N6F6 einzelnEffekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs des Feld-STI260N6F6 einzelnEffekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs des Feld-STI260N6F6 einzelnEffekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs des Feld-STI260N6F6 einzeln

Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable