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Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs des Feld-STV200N55F3 einzeln

Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
STV200N55F3
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Reihe:
STripFET™
Einleitung

Spezifikationen STV200N55F3

Teil-Status Veraltet
Fet-Art N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 55V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 200A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 4V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 100nC @ 10V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 6800pF @ 25V
Vgs (maximal) -
Fet-Eigenschaft -
Verlustleistung (maximal) 300W (Tc)
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 2,5 mOhm @ 75A, 10V
Betriebstemperatur -55°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket 10-PowerSO
Paket/Fall PowerSO-10 stellte untere Auflage heraus
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

Verpacken STV200N55F3

Entdeckung

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