TPH3208LDG-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzeln
Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
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Spezifikationen
Teilnummer:
TPH3208LDG
Hersteller:
Transphorm
Beschreibung:
CASCODE GAN FET 650V 20A PQFN88
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Einleitung
TPH3208LDG-Spezifikationen
| Teil-Status | Aktiv |
|---|---|
| Fet-Art | N-Kanal |
| Technologie | GaNFET (Gallium-Nitrid) |
| Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 650V |
| Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
| Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 2.6V @ 300µA |
| Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 760pF @ 400V |
| Vgs (maximal) | ±18V |
| Fet-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (maximal) | 96W (Tc) |
| RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 130 mOhm @ 13A, 8V |
| Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
| Befestigung der Art | Oberflächenberg |
| Lieferanten-Gerät-Paket | PQFN (8x8) |
| Paket/Fall | 3-PowerDFN |
| Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
| Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable