TK35A65W5, S5X-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzeln
Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
Teilnummer:
TK35A65W5, S5X
Hersteller:
Toshiba-Halbleiter und -speicher
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Reihe:
DTMOSIV
Einleitung
TK35A65W5, S5X-Spezifikationen
| Teil-Status | Aktiv |
|---|---|
| Fet-Art | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 650V |
| Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 35A (Ta) |
| Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 4.5V @ 2.1mA |
| Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 115nC @ 10V |
| Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 4100pF @ 300V |
| Vgs (maximal) | ±30V |
| Fet-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (maximal) | 50W (Tc) |
| RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 95 mOhm @ 17.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigung der Art | Durch Loch |
| Lieferanten-Gerät-Paket | TO-220SIS |
| Paket/Fall | TO-220-3 voller Satz, lokalisierter Vorsprung |
| Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
| Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
TK35A65W5, S5X Verpacken
Entdeckung
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable