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Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs des Feld-BSC079N03LSCGATMA1 einzeln

Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON
Teilnummer:
BSC079N03LSCGATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Reihe:
OptiMOS™
Einleitung

Spezifikationen BSC079N03LSCGATMA1

Teil-Status Aktiv
Fet-Art N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 30V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 14A (Ta), 50A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 2.2V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 19nC @ 10V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 1600pF @ 15V
Vgs (maximal) ±20V
Fet-Eigenschaft -
Verlustleistung (maximal) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 7,9 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -55°C | 150°C (TJ)
Befestigung der Art Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket PG-TDSON-8
Paket/Fall 8-PowerTDFN
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

Verpacken BSC079N03LSCGATMA1

Entdeckung

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