Halbleiter treiben Kanal STB24N60DM2 Mosfet-Transistor-N an
Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Produkt-Modell:
STB24N60DM2
Lieferanten-Paket:
TO-263-3
Kurzbeschreibung:
MOSFET
Transistorpolarität:
N-Kanal
Verwendungsgebiete:
Anwendungen wechseln
Herstelldatum:
Innerhalb eines Jahres
Hervorheben:
Halbleiter-Energie Mosfet-Transistor
,Kanal Energie Mosfet-Transistor-N
,STB24N60DM2
Einleitung
Produktpalette
- Halbleiter STB24N60DM2 treiben den getrennten Mosfet-Transistor-Feld-Effekt-Transistor an N-Kanal
- N-Kanal 600 V, 0,13 Ω-Art., 21 eine Energie MDmesh™ DM2 MOSFETs in d-² PAK, Pakete TO-220 und TO-247
App-Eigenschaften
- Eigenschaften
- Schnell-Wiederaufnahmekörperdiode
- Extrem - niedrige Torgebühr und Inputkapazitanz
- Niedriger Aufwiderstand
- Lawine 100% prüfte
- Extrem hohe dv-/dtrauhheit
- Zener-geschützt
- Beschreibung
- Diese Hochspannungsn-kanal Energie MOSFETs sind ein Teil der Wiederaufnahmedioden-Reihe MDmesh™ DM2 schnellen. Sie bieten sehr niedrigen Wiederaufnahmevorwurf (Qrr) und die Zeit (trr) kombiniert mit niedrigem RDS (an) an und machen sie passend für die forderndsten Konverter und das Ideal der hohen Leistungsfähigkeit für Brückentopologie- und ZVS-Phasenverschiebungskonverter.
Grundlegende Daten
| Produkteigenschaft | Attribut-Wert |
|---|---|
| STMicroelectronics | |
| Produkt-Kategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Details |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| TO-263-3 | |
| N-Kanal | |
| 1 Kanal | |
| 600 V | |
| 18 A | |
| 200 mOhms | |
| - 25 V, + 25 V | |
| 4 V | |
| 29 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 150 W | |
| Verbesserung | |
| FDmesh | |
| Spule | |
| Schneiden Sie Band | |
| Spule | |
| Marke: | STMicroelectronics |
| Konfiguration: | Einzeln |
| Abfallzeit: | 15 ns |
| Produkt-Art: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 8,7 ns |
| Reihe: | STB24N60DM2 |
| 1000 | |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Typische Abschaltverzögerungs-Zeit: | 60 ns |
| Typische Einschaltverzögerungs-Zeit: | 15 ns |
| Stückgewicht: | 0,139332 Unze |
DOWNLOAD-DATENBLATT
Anwendung
- Zugeschaltete Anwendungen
- BLDC-Motoren
- Dreiphasendauermagnetsynchronmotoren
- Inverter
- Halbbrücke-Fahrer
- Roboterkontrollsysteme
- Geräte
- Gitterinfrastruktur
- EPOS • Haupt-theate
- Stromnetze
- Kommunikationen/Vernetzungs-Infrastruktur
Bestellvorgang
| Fügen Sie Teile RFQ-Form hinzu | Reichen Sie RFQ ein | Wir antworten innerhalb 24 Stunden |
| Sie bestätigen Auftrag | Zahlung | Schiff heraus Ihr Auftrag |
Mehr MOSFET-Modelle
| STB30NF20 | STB18NF25 | STB32NM50N | STB15N80K5 | STB21N90K5 |
| STB24N60DM2 | STB15810 | STB75NF20 | STB6N60M2 | STB46NF30 |
| IRFB3207PBF | IRFB38N20DPBF | IRFB3306PBF | IRFB5615PBF | IRFB4310ZPBF |
| IRFB4110PBF | IRFB4127PBF | IRFB7730PBF | IRFB7440PBF | IRFB7537PBF |
| Integrierte Schaltungen IC | ||||
| SSD2832G24 | SSD2830QL9 | SSD2829QL9 | SSD2861QN10 | SSD2858K1 |
| SSD2848K1 | SSD2828QN4 | SSD2805CG39R | SSD1963G41 | A4988SETTR-T |
| MIC28515T-E/PHA | MIC28514T-E/PHA | MIC28513-1YFL-TR | MIC28516T-E/PHA | MIC28510YJL-TR |
| TPS54160DGQR | TPS54160ADRCR | TPS54140ADRCR | TPS5410MDREP | TPS54336ADDAR |
| LM2596SXADJ | LM2596SX-3.3 | LM2596SX-5.0 | LM2596SX-12 | DRV8312DDWR |
| Mikroregler-MCU | ||||
| STM8S003F3P6 | STM8S003F3U6TR | STM8S003K3T6C | STM8S003F3P6TR | STM8S003K3T6CT |
| STM8S005C6T6C | STM8S005K6T6C | STM8S103K3T6C | STM8S105K6T6C | Mehr IC-Modelle |
| STM32F030R8T6 | STM32F030C6T6 | STM32F030F4P6 | STM32F030C8T6 | STM32F030K6T6 |
| STM32F030R8T6TR | STM32F030CCT6 | STM32F030RCT6 | STM32F030K6T6T | STM32F030CCT6TR |
| STM32F042C6T6 | STM32F042K6T6 | STM32F042K4U6 | STM32F042F6P7 | STM32F042F4P6TR |
| STM32F042K6U7 | STM32F042G4U6 | STM32F042F4P6 | STM32F042C6U7 | STM32F042K6T7 |
Chip Diagram
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable