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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMP6110SSD-13

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
DMP6110SSD-13
Fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistor MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet

Caractéristiques DMP6110SSD-13

Statut de partie Actif
Type de FET P-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) 60V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 3.3A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 105 mOhm @ 4.5A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 17.2nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 969pF @ 30V
Puissance - maximum 1.2W
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type -
Paquet/cas 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)
Paquet de dispositif de fournisseur 8-SO
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage DMP6110SSD-13

Détection

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Nombre de pièces:
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