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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMP2035UTS-13

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
DMP2035UTS-13
Fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistor MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet

Caractéristiques DMP2035UTS-13

Statut de partie Actif
Type de FET Double) drain commun de 2 P-canaux (
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 20V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 6.04A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 35 mOhm @ 4A, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 15.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 1610pF @ 10V
Puissance - maximum 890mW
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 8-TSSOP (0,173", largeur de 4.40mm)
Paquet de dispositif de fournisseur 8-TSSOP
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage DMP2035UTS-13

Détection

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Nombre de pièces:
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