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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de SI4532DY

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
SI4532DY
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
Transistor MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet

Caractéristiques de SI4532DY

Statut de partie Actif
Type de FET N et P-canal
Caractéristique de FET Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) 30V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 3.9A, 3.5A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 65 mOhm @ 3.9A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 235pF @ 10V
Puissance - maximum 900mW
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)
Paquet de dispositif de fournisseur 8-SO
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de SI4532DY

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable