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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ PHC2300,118

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
PHC2300,118
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
Description:
Transistor MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet

Caractéristiques PHC2300,118

Statut de partie Actif
Type de FET N et P-canal
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 300V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 340mA, 235mA
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 6 ohms @ 170mA, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 6.24nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 102pF @ 50V
Puissance - maximum 1.6W
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)
Paquet de dispositif de fournisseur 8-SO
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage PHC2300,118

Détection

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Nombre de pièces:
Negotiable