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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de ZXMC3A16DN8TC

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
ZXMC3A16DN8TC
Fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistor MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet

Caractéristiques de ZXMC3A16DN8TC

Statut de partie Actif
Type de FET N et P-canal
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 30V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 4.9A, 4.1A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 35 mOhm @ 9A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1V @ 250µA (minute)
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 17.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 796pF @ 25V
Puissance - maximum 1.25W
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)
Paquet de dispositif de fournisseur 8-SOP
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de ZXMC3A16DN8TC

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable