Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de ZXMP6A17DN8TA
Les spécifications
Numéro de la pièce:
ZXMP6A17DN8TA
Fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistor MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet
Caractéristiques de ZXMP6A17DN8TA
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | P-canal 2 (double) |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 60V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 2.7A |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 125 mOhm @ 2.3A, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 1V @ 250µA (minute) |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 17.7nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 637pF @ 30V |
Puissance - maximum | 1.81W |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm) |
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-SOP |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de ZXMP6A17DN8TA
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable