Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SI4900DY-T1-E3
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
SI4900DY-T1-E3
Fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
TrenchFET®
Introduction au projet
Caractéristiques SI4900DY-T1-E3
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de FET | N-canal 2 (double) |
| Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 5.3A |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 58 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 665pF @ 15V |
| Puissance - maximum | 3.1W |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet/cas | 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm) |
| Paquet de dispositif de fournisseur | 8-SO |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage SI4900DY-T1-E3
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable