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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BUK9K25-40EX

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BUK9K25-40EX
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 40V 18.2A 56LFPAK
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
TrenchMOS™
Introduction au projet

Caractéristiques de BUK9K25-40EX

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 40V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 18.2A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 24 mOhm @ 5A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2.1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 6.3nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 701pF @ 25V
Puissance - maximum 32W
Température de fonctionnement -55°C | 175°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas SOT-1205, 8-LFPAK56
Paquet de dispositif de fournisseur LFPAK56D
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BUK9K25-40EX

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
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