Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NDC7002N
Les spécifications
Numéro de la pièce:
NDC7002N
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet
Caractéristiques de NDC7002N
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N-canal 2 (double) |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 50V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 510mA |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 2 ohms @ 510mA, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 1nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 20pF @ 25V |
Puissance - maximum | 700mW |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | SOT-23-6 mince, TSOT-23-6 |
Paquet de dispositif de fournisseur | SuperSOT™-6 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de NDC7002N
Détection
Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable