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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de FDME1034CZT

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
FDME1034CZT
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
Transistor MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
PowerTrench®
Introduction au projet

Caractéristiques de FDME1034CZT

Statut de partie Actif
Type de FET N et P-canal
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 20V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 3.8A, 2.6A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 300pF @ 10V
Puissance - maximum 600mW
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 6-UFDFN a exposé la protection
Paquet de dispositif de fournisseur 6-MicroFET (1.6x1.6)
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de FDME1034CZT

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable