Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NTGD4167CT1G
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
NTGD4167CT1G
Fabricant:
SUR le semi-conducteur
Description:
Transistor MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet
Caractéristiques de NTGD4167CT1G
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de FET | N et P-canal |
| Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 2.6A, 1.9A |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 1.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 295pF @ 15V |
| Puissance - maximum | 900mW |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet/cas | SOT-23-6 mince, TSOT-23-6 |
| Paquet de dispositif de fournisseur | 6-TSOP |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de NTGD4167CT1G
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable