Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BSS8402DW-7-F
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BSS8402DW-7-F
Fabricant:
Diodes incorporées
Description:
TRANSISTOR MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet
Caractéristiques de BSS8402DW-7-F
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N et P-canal |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 60V, 50V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 115mA, 130mA |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 7,5 ohms @ 50mA, 5V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 50pF @ 25V |
Puissance - maximum | 200mW |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquet de dispositif de fournisseur | SOT-363 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de BSS8402DW-7-F
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable