Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SI5515CDC-T1-GE3
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
SI5515CDC-T1-GE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
Transistor MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
TrenchFET®
Introduction au projet
Caractéristiques SI5515CDC-T1-GE3
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de FET | N et P-canal |
| Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 4A |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 36 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 800mV @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 11.3nC @ 5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 632pF @ 10V |
| Puissance - maximum | 3.1W |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet/cas | 8-SMD, avance plate |
| Paquet de dispositif de fournisseur | ChipFET™ 1206-8 |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage SI5515CDC-T1-GE3
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable