Transistors IGBTs de module d'alimentation de HGT1S3N60A4DS9A IGBT simple
Les spécifications
Numéro de la pièce:
HGT1S3N60A4DS9A
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
IGBT 600V 17A 70W D2PAK
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Introduction au projet
Caractéristiques de HGT1S3N60A4DS9A
Statut de partie | Obsolète |
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Type d'IGBT | - |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 600V |
Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 17A |
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 40A |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.7V @ 15V, 3A |
Puissance - maximum | 70W |
Énergie de changement | 37µJ (dessus), 25µJ () |
Type d'entrée | Norme |
Charge de porte | 21nC |
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 6ns/73ns |
Condition d'essai | 390V, 3A, 50 ohms, 15V |
Temps de rétablissement inverse (trr) | 29ns |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-263AB |
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-263AB |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de HGT1S3N60A4DS9A
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable