GT10J312 (Q) transistors IGBTs de module d'alimentation d'IGBT simple
Catégorie:
Module d'alimentation IGBT
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
GT10J312 (Q)
Fabricant:
Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Description:
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Introduction au projet
GT10J312 (Q) caractéristiques
| Statut de partie | Obsolète |
|---|---|
| Type d'IGBT | - |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 600V |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 10A |
| Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 20A |
| Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.7V @ 15V, 10A |
| Puissance - maximum | 60W |
| Énergie de changement | - |
| Type d'entrée | Norme |
| Charge de porte | - |
| Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 400ns/400ns |
| Condition d'essai | 300V, 10A, 100 ohms, 15V |
| Temps de rétablissement inverse (trr) | 200ns |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-220SM |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
GT10J312 (Q) emballage
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable