Transistors IGBTs de module d'alimentation de HGTG5N120BND IGBT simple
Les spécifications
Numéro de la pièce:
HGTG5N120BND
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
IGBT 1200V 21A 167W TO247
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Introduction au projet
Caractéristiques de HGTG5N120BND
Statut de partie | Pas pour de nouvelles conceptions |
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Type d'IGBT | TNP |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 1200V |
Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 21A |
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 40A |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.7V @ 15V, 5A |
Puissance - maximum | 167W |
Énergie de changement | 450µJ (dessus), 390µJ () |
Type d'entrée | Norme |
Charge de porte | 53nC |
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 22ns/160ns |
Condition d'essai | 960V, 5A, 25 ohms, 15V |
Temps de rétablissement inverse (trr) | 65ns |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Par le trou |
Paquet/cas | TO-247-3 |
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-247 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de HGTG5N120BND
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable