Transistors IGBTs de module d'alimentation de STGB5H60DF IGBT simple
Les spécifications
Description:
PORTE FIELD-STOP IGBT, H S DE FOSSÉ
Numéro de la pièce:
STGB5H60DF
Fabricant:
STMicroelectronics
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Introduction au projet
Caractéristiques de STGB5H60DF
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type d'IGBT | Arrêt de champ de fossé |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 600V |
Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 10A |
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 20A |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 1.95V @ 15V, 5A |
Puissance - maximum | 88W |
Énergie de changement | 56µJ (dessus), 78.5µJ () |
Type d'entrée | Norme |
Charge de porte | 43nC |
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 30ns/140ns |
Condition d'essai | 400V, 5A, 47 ohms, 15V |
Temps de rétablissement inverse (trr) | 134.5ns |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-263AB |
Paquet de dispositif de fournisseur | D2PAK |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de STGB5H60DF
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable