Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ IPD70P04P409ATMA1 simples
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
IPD70P04P409ATMA1
Fabricant:
Infineon Technologies
Description:
TRANSISTOR MOSFET P-CH TO252-3
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Série:
Des véhicules à moteur, AEC-Q101, OptiMOS™
Introduction au projet
Caractéristiques IPD70P04P409ATMA1
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de FET | P-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 40V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 73A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4V @ 120µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 4810pF @ 25V |
| Vgs (maximum) | - |
| Caractéristique de FET | - |
| Dissipation de puissance (maximum) | 75W (comité technique) |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 8,9 mOhm @ 70A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur | PG-TO252-3-313 |
| Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage IPD70P04P409ATMA1
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable