Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SI2304DDS-T1-GE3 simples
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
SI2304DDS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
Transistor MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Série:
TrenchFET®
Introduction au projet
Caractéristiques SI2304DDS-T1-GE3
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 3.3A (merci), 3.6A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.2V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 235pF @ 15V |
| Vgs (maximum) | ±20V |
| Caractéristique de FET | - |
| Dissipation de puissance (maximum) | 1.1W (merci), 1.7W (comité technique) |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 60 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paquet/cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage SI2304DDS-T1-GE3
Détection
Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable