TPH2R506PL, transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de L1Q simples
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
TPH2R506PL, L1Q
Fabricant:
Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Description:
TRANSISTOR DE TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE DE X35 PB-F
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Série:
U-MOSIX-H
Introduction au projet
TPH2R506PL, caractéristiques de L1Q
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 100A |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.5V @ 500µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 5435pF @ 30V |
| Vgs (maximum) | ±20V |
| Caractéristique de FET | - |
| Dissipation de puissance (maximum) | 134W (comité technique) |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 4,4 mOhm @ 30A, 4.5V |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur | Avance 8-SOP |
| Paquet/cas | 8-PowerVDFN |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
TPH2R506PL, emballage de L1Q
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable