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Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de STI55NF03L simples

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
STI55NF03L
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
Transistor MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Série:
STripFET™ II
Introduction au projet

Caractéristiques de STI55NF03L

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 30V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 55A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 27nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 1265pF @ 25V
Vgs (maximum) ±16V
Caractéristique de FET -
Dissipation de puissance (maximum) 80W (comité technique)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 13 mOhm @ 27.5A, 10V
Température de fonctionnement -60°C | 175°C (TJ)
Montage du type Par le trou
Paquet de dispositif de fournisseur I2PAK
Paquet/cas TO-262-3 mène longtemps, je ² PAK, TO-262AA
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de STI55NF03L

Détection

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Nombre de pièces:
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