Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'IRFR9020PBF simples
Les spécifications
Numéro de la pièce:
IRFR9020PBF
Fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
Transistor MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Introduction au projet
Caractéristiques d'IRFR9020PBF
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | P-canal |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 50V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 9.9A (comité technique) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 490pF @ 25V |
Vgs (maximum) | ±20V |
Caractéristique de FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 42W (comité technique) |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 280 mOhm @ 5.7A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet de dispositif de fournisseur | D-PAK |
Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage d'IRFR9020PBF
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable