Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMP2018LFK-7 simples
Les spécifications
Numéro de la pièce:
DMP2018LFK-7
Fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistor MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Introduction au projet
Caractéristiques DMP2018LFK-7
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | P-canal |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 20V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 9.2A (ventres) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 1.2V @ 200µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 113nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 4748pF @ 10V |
Vgs (maximum) | ±12V |
Caractéristique de FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 1W (ventres) |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 16 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet de dispositif de fournisseur | U-DFN2523-6 |
Paquet/cas | 6-PowerUDFN |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage DMP2018LFK-7
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable