Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ STI18N65M5 simples
Les spécifications
Numéro de la pièce:
STI18N65M5
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
Transistor MOSFET N CH 650V 15A I2PAK
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Série:
MDmesh™ V
Introduction au projet
Caractéristiques STI18N65M5
Statut de partie | Obsolète |
---|---|
Type de FET | N-canal |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 650V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 15A (comité technique) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 1240pF @ 100V |
Vgs (maximum) | - |
Caractéristique de FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 110W (comité technique) |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 220 mOhm @ 7.5A, 10V |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Montage du type | Par le trou |
Paquet de dispositif de fournisseur | I2PAK |
Paquet/cas | TO-262-3 mène longtemps, je ² PAK, TO-262AA |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage STI18N65M5
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable