Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ R6046ANZ1C9 simples
Les spécifications
Numéro de la pièce:
R6046ANZ1C9
Fabricant:
Semi-conducteur de Rohm
Description:
Transistor MOSFET N-CH 600V 46A TO247
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Introduction au projet
Caractéristiques R6046ANZ1C9
Statut de partie | Pas pour de nouvelles conceptions |
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Type de FET | N-canal |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 600V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 46A (comité technique) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4.5V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 6000pF @ 25V |
Vgs (maximum) | ±30V |
Caractéristique de FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 120W (comité technique) |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 90 mOhm @ 23A, 10V |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Montage du type | Par le trou |
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-247 |
Paquet/cas | TO-247-3 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage R6046ANZ1C9
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable