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Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SCT3160KLGC11 simples

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Description:
Transistor MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N
Numéro de la pièce:
SCT3160KLGC11
Fabricant:
Semi-conducteur de Rohm
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Introduction au projet

Caractéristiques SCT3160KLGC11

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal
Technologie SiCFET (carbure de silicium)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 17A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 5.6V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 42nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 398pF @ 800V
Vgs (maximum) +22V, -4V
Caractéristique de FET -
Dissipation de puissance (maximum) 103W (comité technique)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 208 mOhm @ 5A, 18V
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Montage du type Par le trou
Paquet de dispositif de fournisseur TO-247N
Paquet/cas TO-247-3
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage SCT3160KLGC11

Détection

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