Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SCT3160KLGC11 simples
Les spécifications
Description:
Transistor MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N
Numéro de la pièce:
SCT3160KLGC11
Fabricant:
Semi-conducteur de Rohm
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Introduction au projet
Caractéristiques SCT3160KLGC11
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N-canal |
Technologie | SiCFET (carbure de silicium) |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 17A (comité technique) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 5.6V @ 2.5mA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 42nC @ 18V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 398pF @ 800V |
Vgs (maximum) | +22V, -4V |
Caractéristique de FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 103W (comité technique) |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 208 mOhm @ 5A, 18V |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Montage du type | Par le trou |
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-247N |
Paquet/cas | TO-247-3 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage SCT3160KLGC11
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable