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Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de ZXMN2069FTA simples

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Description:
TRANSISTOR MOSFET N-CH SOT23-3
Numéro de la pièce:
ZXMN2069FTA
Fabricant:
Diodes incorporées
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Introduction au projet

Caractéristiques de ZXMN2069FTA

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) -
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C -
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ -
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds -
Vgs (maximum) ±20V
Caractéristique de FET -
Dissipation de puissance (maximum) -
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs -
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-23-3
Paquet/cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de ZXMN2069FTA

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable