Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de VRF151G
Les spécifications
Numéro de la pièce:
VRF151G
Fabricant:
Microsemi Corporation
Description:
Transistor MOSFET rf PWR N-CH 50V 300W M208
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet
Caractéristiques de VRF151G
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de transistor | N-canal |
Fréquence | 175MHz |
Gain | 16dB |
Tension - essai | 50V |
Estimation actuelle | 36A |
Chiffre de bruit | - |
Actuel - essai | 500mA |
Puissance de sortie | 300W |
Tension - évaluée | 170V |
Paquet/cas | 4-SMD |
Paquet de dispositif de fournisseur | M208 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de VRF151G
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable