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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de VRF151G

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
VRF151G
Fabricant:
Microsemi Corporation
Description:
Transistor MOSFET rf PWR N-CH 50V 300W M208
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de VRF151G

Statut de partie Actif
Type de transistor N-canal
Fréquence 175MHz
Gain 16dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle 36A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 500mA
Puissance de sortie 300W
Tension - évaluée 170V
Paquet/cas 4-SMD
Paquet de dispositif de fournisseur M208
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de VRF151G

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable