Envoyer le message
À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV40320D

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV40320D

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
CGHV40320D
Fabricant:
Cree/Wolfspeed
Description:
L'HEMT 50V de TRANSISTOR MOSFET de RF MEURENT
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de CGHV40320D

Statut de partie Actif
Type de transistor HEMT
Fréquence 4GHz
Gain 19dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 500mA
Puissance de sortie 320W
Tension - évaluée 150V
Paquet/cas Mourez
Paquet de dispositif de fournisseur Mourez
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de CGHV40320D

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV40320DPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV40320DPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV40320DPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV40320D

Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable