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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ A2T23H300-24SR6

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ A2T23H300-24SR6

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ A2T23H300-24SR6
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ A2T23H300-24SR6
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
A2T23H300-24SR6
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
TRANSPORT RF LDMOS D'IC
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques A2T23H300-24SR6

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS (double)
Fréquence 2.3GHz
Gain 14.9dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 750mA
Puissance de sortie 66W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas NI-1230-4LS2L
Paquet de dispositif de fournisseur NI-1230-4LS2L
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage A2T23H300-24SR6

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ A2T23H300-24SR6Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ A2T23H300-24SR6Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ A2T23H300-24SR6Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ A2T23H300-24SR6

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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