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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CLF1G0060S-10U

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CLF1G0060S-10U

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CLF1G0060S-10U
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CLF1G0060S-10U
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
CLF1G0060S-10U
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
HEMT 150V 14.5DB SOT1227B de FET de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de CLF1G0060S-10U

Statut de partie Actif
Type de transistor HEMT
Fréquence 3GHz | 3.5GHz
Gain 14.5dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 50mA
Puissance de sortie 10W
Tension - évaluée 150V
Paquet/cas SOT-1227B
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-1227B
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de CLF1G0060S-10U

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CLF1G0060S-10UPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CLF1G0060S-10UPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CLF1G0060S-10UPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CLF1G0060S-10U

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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