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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF9G20LS-160VJ

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF9G20LS-160VJ

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF9G20LS-160VJ
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF9G20LS-160VJ
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF9G20LS-160VJ
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de BLF9G20LS-160VJ

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 1.81GHz | 1.88GHz
Gain 19.8dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 800mA
Puissance de sortie 35.5W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT-1120B
Paquet de dispositif de fournisseur CDFM6
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BLF9G20LS-160VJ

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF9G20LS-160VJPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF9G20LS-160VJPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF9G20LS-160VJPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF9G20LS-160VJ

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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