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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de BLC8G27LS-100 AVY Field Effect Transistor Transistors

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de BLC8G27LS-100 AVY Field Effect Transistor Transistors

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de BLC8G27LS-100 AVY Field Effect Transistor Transistors
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de BLC8G27LS-100 AVY Field Effect Transistor Transistors
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLC8G27LS-100AVY
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

BLC8G27LS-100 AVY Specifications

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS (double), source commune
Fréquence 2.5GHz | 2.69GHz
Gain 15.5dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 250mA
Puissance de sortie 17.8W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT1275-1
Paquet de dispositif de fournisseur 6-DFM
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

BLC8G27LS-100 AVY Packaging

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de BLC8G27LS-100 AVY Field Effect Transistor TransistorsPuce des transistors MOSFET rf de FETs de BLC8G27LS-100 AVY Field Effect Transistor TransistorsPuce des transistors MOSFET rf de FETs de BLC8G27LS-100 AVY Field Effect Transistor TransistorsPuce des transistors MOSFET rf de FETs de BLC8G27LS-100 AVY Field Effect Transistor Transistors

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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