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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CE3512K2

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CE3512K2

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CE3512K2
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CE3512K2
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
CE3512K2
Fabricant:
Zilog
Description:
FET 4V 12GHZ 4MICROX de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques CE3512K2

Statut de partie Actif
Type de transistor FET de pHEMT
Fréquence 12GHz
Gain 13.7dB
Tension - essai 2V
Estimation actuelle 15mA
Chiffre de bruit 0.5dB
Actuel - essai 10mA
Puissance de sortie 125mW
Tension - évaluée 4V
Paquet/cas 4-Micro-X
Paquet de dispositif de fournisseur 4-Micro-X
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage CE3512K2

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CE3512K2Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CE3512K2Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CE3512K2Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CE3512K2

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Nombre de pièces:
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