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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CLF1G0035S-100PU

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CLF1G0035S-100PU

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CLF1G0035S-100PU
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CLF1G0035S-100PU
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
CLF1G0035S-100PU
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
HEMT 150V 14DB SOT1228B de FET de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de CLF1G0035S-100PU

Statut de partie Actif
Type de transistor HEMT
Fréquence 3GHz
Gain 14dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 100mA
Puissance de sortie 100W
Tension - évaluée 150V
Paquet/cas SOT-1228B
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-1228B
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de CLF1G0035S-100PU

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CLF1G0035S-100PUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CLF1G0035S-100PUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CLF1G0035S-100PUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CLF1G0035S-100PU

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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