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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > BLS7G3135L-350P, puce de 11 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLS7G3135L-350P, puce de 11 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLS7G3135L-350P, puce de 11 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
BLS7G3135L-350P, puce de 11 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLS7G3135L-350P, 11
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 65V 10DB SOT539A de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

BLS7G3135L-350P, 11 caractéristiques

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS (double), source commune
Fréquence 3.5GHz
Gain 10dB
Tension - essai 32V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 200mA
Puissance de sortie 320W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT539A
Paquet de dispositif de fournisseur SOT539A
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

BLS7G3135L-350P, emballage 11

Détection

BLS7G3135L-350P, puce de 11 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLS7G3135L-350P, puce de 11 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLS7G3135L-350P, puce de 11 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLS7G3135L-350P, puce de 11 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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